1.JESD22-A101-C:稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命）

试验条件包括：温度，相对湿度，和元件加偏压的时间

常用测试条件：85℃±2/85%R.H±5/7.12psia（49.1kpa）/8mA/1000h

本方法用于评估非气密性封装IC器件在湿度环境下的可靠性，通过温度/湿度/偏压条件应用于加速湿气的渗透，同时需要维持一个规定的温度和相对的持续湿度在规定偏压电路来测试提供电子连接元件。

（评估非密封封装的固态设备在高温高湿条件下的运行可靠性，同时也能加速评估是否水雾能渗透穿过外部保护密封材料或是沿着外部保护材料和金属导体之间的接口进入内部。）
2.JESD22-A110 ：HAST高加速温湿度应力试验常用测试条件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h
3.JESD22-A118：温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽）
试验条件包括：温度，相对湿度，蒸汽压力和时间
执行无偏 HAST 是为了评估非密封封装的可靠性,潮湿环境中的固态器件。这是一个高度加速的测试，采用温度和非冷凝条件下的湿度，以加速水分通过外部渗透保护材料（密封剂或密封）或沿外部保护材料与穿过它的金属导体。 在此测试中不应用偏压以确保故障机制可能会被偏差掩盖（例如，电偶腐蚀）。 该测试用于识别封装内部的失效机制，具有破坏性。
（芯片处于密闭空间内高温、高湿、高压的加速因子下，以实验封装的抗腐蚀能力，确定其可靠性。）
常用测试条件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h（264h）和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h（96h）样品数25ea/lot , 3lots
4.JESD22-A102-E：PCT高压蒸煮试验
试验条件包括：温度，相对湿度，蒸汽压力和持续时间。

本方法用于评估非气密性封装IC器件在湿度环境下的可靠性。温度/湿度/偏压条件应用于加速湿气的渗透，可通过外部保护材料（塑封料或封口），或沿着外部保护材料与金属传导材料之间渗透。

5.JESD22-A102-D：PCT无偏压高压加速抗湿性试验

试验条件包括：温度，相对湿度，蒸汽压和时间。

本方法用于耐湿性评估和强健性测试。目的在于用压缩湿气和饱和湿气环境下，评估非气密性封装固态元件的抗湿性。在高压、高湿条件下加速湿气渗透（塑封料、芯片钝化层）或设计变更（芯片、触电尺寸）与金属导电层间界面的渗透，从而识别封装内部的失效机制，是破坏性的。

常用测试条件：121℃±2/100%R.H/29.7psia（205kpa）/24h,48h,96h,168h,240h,336h

执行试验标准：

GB/T2423.40-1997电工电子产品环境试验第2部分：试验方法Cx：不饱和高压蒸汽的恒定湿热

IEC60068-2-66-1994环境试验.第2-66部分：试验方法.试验Cx：稳态湿热

JESD22-A100循环的温度和湿度偏移寿命

JESD22-A101稳态温度，湿度/偏压，寿命试验（温湿度偏压寿命）

JESD22-A102高压蒸煮试验（加速抗湿性渗透）

JESD22-A108温度、偏置电压和工作寿命

JESD22-A110 HAST高加速温湿度应力试验

JESD22-A118温湿度无偏压高加速应力实验UHAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽）